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電磁兼容EMC測試-浪涌SURGE(surge test)共模/差模測試方法
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浪涌是現(xiàn)實世界中的日常事件，可能對電子設(shè)備產(chǎn)生重大負(fù)面影響，這些影響包括數(shù)據(jù)損壞，設(shè)備永久性損壞以及在某些情況下甚至火災(zāi)�？赡苡捎诟鞣N原因而發(fā)生浪涌，但常見的電涌原因是：
1.電器的電氣開關(guān)，如冰箱，加熱器和空調(diào)
2.接線錯誤和短路
3.雷擊
市場上有許多組件和設(shè)備旨在保護(hù)設(shè)備免受沿電源線或信號線發(fā)生的電涌。這些設(shè)備統(tǒng)稱為浪涌保護(hù)設(shè)備（或浪涌抑制器/放電器），旨在通過阻斷或短路接地任何高于安全閾值的不需要的電壓來限制提供給電氣設(shè)備的電壓。這被稱為鉗位電壓，但在為您的產(chǎn)品選擇電涌保護(hù)器件時，這不是唯一要考慮的特性。
鉗位/觸發(fā)電壓
這指定了什么尖峰電壓將導(dǎo)致電涌保護(hù)器內(nèi)的保護(hù)元件從受保護(hù)的線路轉(zhuǎn)移不需要的能量。較低的鉗位電壓可以提供保護(hù)，但有時可以縮短器件的預(yù)期壽命。
大連續(xù)工作電壓（MCOV）
這是可以在電涌保護(hù)器的端子之間連續(xù)施加的大RMS電壓。
大額定電壓
顧名思義，這是指浪涌保護(hù)裝置在完全發(fā)生故障之前可以承受的絕對大電壓尖峰，許多不同的電涌保護(hù)裝置在上述特征方面不同，因此更適合于某些應(yīng)用。以下是一些較常見的電涌保護(hù)裝置的簡要說明。
瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）或Trans orb
瞬態(tài)電壓抑制二極管也是已知的硅雪崩二極管（SAD）。它們是一種可以限制電壓尖峰的齊納二極管。TVS二極管具有快速限制作用但具有相對低的能量吸收能力，因此更常用于高速但低功率電路（例如數(shù)據(jù)通信）。如果脈沖保持在器件的額定值范圍內(nèi)，則瞬態(tài)抑制二極管的預(yù)期壽命非常長。
金屬氧化物壓敏電阻（MOV）
金屬氧化物變阻器本質(zhì)上是可變電阻器。當(dāng)MOV高于其額定電壓（通常是正常電路電壓的3到4倍）時，MOV可以傳導(dǎo)大電流。MOV具有有限的預(yù)期壽命，并且在暴露出大的瞬態(tài)或許多較小的瞬態(tài)時會降低。當(dāng)發(fā)生退化時，金屬氧化物變阻器的觸發(fā)電壓繼續(xù)下降。MOV通常與熱熔絲串聯(lián)連接，以便在發(fā)生災(zāi)難性故障之前熔斷器斷開。
氣體放電管（GDT）和火花隙
氣體放電管和其他火花隙裝置通過將電流傳導(dǎo)到地而充當(dāng)瞬態(tài)抑制裝置，有效地產(chǎn)生短路。在高壓尖峰的情況下，通常不導(dǎo)電的氣體（或在具有暴露電極的簡單火花隙的情況下的空氣）被電離，允許電流通過裝置的端子之間的間隙傳導(dǎo)。與其他瞬態(tài)電壓抑制器相比，GDT需要相對較長的時間來觸發(fā)。在電流通過電極之間的電離氣體/空氣傳導(dǎo)到地之前，GDT或火花間隙允許500V或更高的脈沖通過未抑制的情況并不罕見。氣體放電管更常用于較慢的上升時間浪涌瞬變，例如交流電源浪涌。
晶閘管浪涌保護(hù)器件（TSPD）
晶閘管浪涌保護(hù)裝置（有時稱為可控硅整流器或SCR）與瞬態(tài)電壓抑制二極管有關(guān)，盡管它們可被視為具有類似于火花隙或氣體放電管的特性，但可以更快地運行。觸發(fā)后，低鉗位電壓允許大電流浪涌流動，同時限制器件的散熱。在設(shè)計產(chǎn)品時，選擇合適的電涌保護(hù)裝置非常重要。在許多情況下，需要將多個組件相互結(jié)合使用，以確保您的設(shè)備免受電涌現(xiàn)象的影響。
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