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GB/T17626電磁兼容抗擾度試驗(yàn)要測(cè)試哪些項(xiàng)目
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GB/T17626電磁兼容抗擾度試驗(yàn)要測(cè)試哪些項(xiàng)目?EMC電磁兼容性是指電磁不干擾其他設(shè)備、即使受到其他設(shè)備干擾也能保持原本的性能和功能,EMC包含兩大部分,一個(gè)是電磁兼容抗擾度EMS,一個(gè)是電磁兼容發(fā)射EMI;
EMI電磁干擾由于IC工作產(chǎn)生噪聲(EMI),給周邊IC和系統(tǒng)帶來(lái)干擾或有干擾性的電磁波,需要設(shè)計(jì)不產(chǎn)生EMI的電路。
EMS電磁敏感性即使受到外界的干擾也不會(huì)造成干擾的能力與耐受性,產(chǎn)品的抗電磁干擾能力需要比較強(qiáng)大。
傳導(dǎo)噪聲:由線束和PCB板布線傳導(dǎo)的噪聲;
輻射噪聲:釋放輻射到空氣中的噪聲。
差模噪聲是有用的信號(hào),共模噪聲是無(wú)用的信號(hào)。
GB/T17626《電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)》目前包含以下內(nèi)容:
GB/T 17626.1-2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論;
GB/T 17626.2-2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗干擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.3-2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗干擾;
GB/T 17626.4-2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.5-2008電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn);
EMC包含兩大項(xiàng):EMI(電磁干擾)和EMS(電磁抗干擾)
1、EMI(Electro-Magnetic Interference)
設(shè)備在正常運(yùn)行過(guò)程中對(duì)所在環(huán)境產(chǎn)生的電磁干擾不能超過(guò)一定的限值。
EMI測(cè)試主要內(nèi)容:
Radiated Emission-輻射
Conducted Emission-傳導(dǎo)
Harmonic-諧波電流
Flicker-電壓變化和閃爍
2、EMS(Electro-Magnetic Susceptibility)
設(shè)備對(duì)所在環(huán)境中存在的電磁干擾具有一定程度的抗擾度。
EMS測(cè)試主要內(nèi)容:
Electrostatic discharges(ESD)-靜電
RS-射頻電磁場(chǎng)輻射
CS-射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾
Voltage dips and interruptions(DIP)-電壓暫降,短時(shí)中斷和電壓變化
Surges-浪涌
Electrical fast transients(EFT)-電快速瞬變脈沖群
PFMF-工頻磁場(chǎng)
EMC測(cè)試步驟
1、確定測(cè)試設(shè)備和標(biāo)準(zhǔn):確定需要測(cè)試的設(shè)備以及使用的標(biāo)準(zhǔn)。
2、測(cè)試準(zhǔn)備:準(zhǔn)備測(cè)試設(shè)備,并確定測(cè)試環(huán)境。
3、進(jìn)行測(cè)試:根據(jù)選定的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。
4、數(shù)據(jù)分析:分析測(cè)試數(shù)據(jù),評(píng)估測(cè)試結(jié)果。
5、報(bào)告:準(zhǔn)備測(cè)試報(bào)告,提交給歐測(cè)認(rèn)證機(jī)構(gòu)。
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